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碳化硅和氮化镓的应用将影响功率电子产业

2014-11-11

法国Yole Développement(Yole)公司的研究显示,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料技术的新型宽禁带技术将会重新定义部分已建立的功率电子产业。SiC和GaN材料的优势已众所周知。事实上,此类材料提供了更快的转换频率、更大的功率密度、更高的结点温度以及更优的电压性能。

      Yole 公司在欧洲半导体设备展览会的功率电子会议上分享其关于功率电子产业的愿景。会议期间,Yole公司将会参考新型材料如SiC和GaN的产品,详述功率电子产业现状及其技术发展趋势及相关参与者。

      从硅碳材料的角度分析,其一系列的应用已经成为一种主流趋势。可以预见在不久的将来,SiC将会在高压和超高电压(高达1.7kV)领域扮演非常重要的角色。

      Yole公司功率电子部门高级市场分析师Pierric•Gueguen表示“在Yole公司,我们坚信这些电压及相关功率范围正是SiC技术适用领域。”去年6月,Yole公司公布了其功率GaN的市场报告,同时也证实了GaN材料在功率电子市场的引入。Yole公司的分析师确定了其多种应用领域,尤其是用于低压范围如电源或功率因数校正领域的应用。据该份技术及市场分析报告显示,从2015至2018年电源及功率因数校正应用部分将成为商业主导,其销售额将占整体销售额的50%。

      然而,伴随着新型宽禁带技术的应用,功率电子产业也将会面临新技术的挑战。事实上,现有的封装解决方案并不能很好的匹配GaN和SiC的特性。在此背景下,一些公司开发了一种增强型封装策略用以提升性能。据Yole公司称,基于该新型封装解决方案,到2016年功率模块市场份额将会达到2亿美元。